|
পণ্যের বিবরণ:
|
| ডেটা স্থানান্তর হার: | 10Gb/s | কেন্দ্র তরঙ্গদৈর্ঘ্য: | TX1550nm/RX1490nm |
|---|---|---|---|
| সংযোগকারী প্রকার: | LC/SC আধার | ট্রান্সমিটারের ধরন: | ইএমএল |
| রিসিভার টাইপ: | পিন | অপটিক্যাল আউটপুট শক্তি: | >2.8mW |
| সংবেদনশীলতা: | <-25.5dBm | কীওয়ার্ড: | 10Gbps BOSA T1550nm R1490nm, 10G BOSA EMLPIN |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | RX1490nm অপটিক্যাল সাব অ্যাসেম্বলি,TX1550nm অপটিক্যাল সাব অ্যাসেম্বলি,10G WDM |
||
10 জিbpsLC SC WDM BOSA TX1550nm EML/RX1490nm পিনদ্বি-দিকনির্দেশক অপটিক্যাল সাব-অ্যাসেম্বলি
বর্ণনা
GIGAOPTO-এর BOSA-T1550EML-R1490PIN-10G-LC-REC ডেটা যোগাযোগের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যা 10Gb/s ডেটা রেট সমর্থন করে৷ট্রান্সমিটার সাইড একটি 1550nm EML লেজার ব্যবহার করে।রিসিভার সাইড টিআইএ সহ একটি 1490nm পিন ব্যবহার করে।
পরম সর্বোচ্চ রেটিং (Tc=25℃)
| প্যারামিটার | প্রতীক | মিন. | সর্বোচ্চ | ইউনিট |
| বিপরীত ভোল্টেজ (LD) | ভিআরএল | --- | 2 | ভি |
| ফরোয়ার্ড কারেন্ট (LD) | আমিFL | --- | 150 | এমএ |
| ফরোয়ার্ড কারেন্ট (MPD) | আমিFD | --- | 10 | এমএ |
| অপারেটিং কেস তাপমাত্রা | টিওপি | 0 | 75 | ℃ |
| সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | টিSTG | -40 | +৮৫ | ℃ |
| লিড সোল্ডারিং তাপমাত্রা (সর্বোচ্চ 10 সেকেন্ড) | টিএস | --- | 260 | ℃ |
| এনটিসি কারেন্ট | আইএনটিসি | 5 | ভি | |
| এনটিসি ভোল্টেজ | ভিএনটিসি | 2 | এমএ | |
| TEC বর্তমান | আইটিইসি | -0.96 | 0.96 | ক |
| TEC ভোল্টেজ | ভিটিইসি | -1.29 | 1.29 | ভি |
| প্রতিরোধ (স্ট্যান্ডার্ড 10KΩ@25℃) | আরথ | 9.5 | 10.5 | KΩ |
| Rth এর B ধ্রুবক | খ | 3800 | 4000 | কে |
অপটিক্যালএবংবৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য
| প্যারামিটার | প্রতীক | মিন. | টাইপ | সর্বোচ্চ | ইউনিট | পরিক্ষামুলক অবস্থা |
| ট্রান্সমিটার(TC=25±3℃) | ||||||
| থ্রেশহোল্ড কারেন্ট | আমিম | --- | --- | 20 | এমএ | সিডব্লিউ |
| লেজার সেট তাপমাত্রা | টিld | 40 | 45 | 50 | ℃ | |
| অপটিক্যাল আউটপুট পাওয়ার | পিএফ | 2.8 | --- | --- | mW |
CW, Iop = 60 mA, Tld= 45℃, VEA=0V |
| অপারেটিং ভোল্টেজ | ভোপ | --- | 1.2 | 1.6 | ভি | CW, Iop＝Ith+20mA |
| কেন্দ্র তরঙ্গদৈর্ঘ্য | λc | 1470 | 1490 | 1510 | nm |
Iop = 60 mA, Tld = 45℃, VEA=0V |
| বর্তমান মনিটর | আমি আছি | 50 | --- | 1500 | μA | Iop= 60 mA, Tld= 45℃ |
| এসএমএসআর | --- | 35 | --- | --- | dB |
Iop = 60 mA, Tld = 45℃, VEA=0V |
| ট্র্যাকিং ত্রুটি (CW) | টি.ই | -1.0 | --- | 1.0 | dB | 0℃/+45℃, +45℃/+75℃ |
| রিসিভার(TC=25±3℃) | ||||||
| সরবরাহ ভোল্টেজ | ভিসিসি | 2.97 | 3.3 | 3.6 | ভি | |
| ভাঙ্গন ভোল্টেজ | ভিবিআর | 27 | 33 | 45 | ভি | Id=10μA, Vcc বন্ধ |
| বিদ্যুত সরবরাহ | আমিcc | --- | 27 | 43 | এমএ | ডিসি |
| অপটিক্যাল তরঙ্গদৈর্ঘ্য | λ | 1470 | 1490 | 1510 | nm | |
| সংবেদনশীলতা | সেন | --- | --- | -25.5 | dBm |
λ=1490nm , PRBS=2^31-1, BER=10-12,ER=10dB,@10Gbps |
| স্যাচুরেশন পাওয়ার | Psat | -6 | --- | --- | dBm | |
| পিডি দায়বদ্ধতা | আর | 0.65 | --- | --- | A/W | λ=1490nm, CW |
বৈশিষ্ট্য
আবেদন
স্ট্যান্ডার্ড
রূপরেখা অঙ্কন(একক: মিমি)
ব্যক্তি যোগাযোগ: Ophelia Feng
টেল: +86 15882203619
